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VPO-300 (automatisches vertikales Öffnen und Schliessen)

Vakuum Prozess Ofen für Anwendungen bis 300 x 300 mm Substratgröße sowie Temperatur bis 1000 °C

RTA- (Rapid Thermal Annealing) und RTP-Anlagen (Rapid Thermal Processing) arbeiten mit IR-Heizungen und ermöglichen schnelle Aufheizung und Abkühlung von Substraten. Diese Anlagen werden daher vorwiegend für Anwendungen genutzt, bei denen das Substrat nur kurzzeitig auf eine bestimmte Temperatur gebracht werden muss. Die hohen Aufheiz- und Abkühlraten ermöglichen kurze Prozesszeiten und halten das thermische Budget der Substrater (also die Gesamtzeit der z.B. ein Wafer hohen Temperaturen ausgesetzt ist) niedrig. Die Anlage ist als Einzelwaferanlage ausgelegt, d.h. sie können nur jeweils einen Wafer gleichzeitig prozessieren. Es handelt sich hier um einen Kaltwandofen.


Die UniTemp RTP-Anlagen bieten ein einzigartiges IR-Lampenarrangement mit zwei Sätzen gekreuzter Lampen über und unter der Probe. Dies führt zu sehr guten Temperaturgleichmäßigkeiten und reproduzierbaren Prozeßparametern.

Die Anlage ist damit sehr gut geeignet für 300 mm Produktionslinien in denen sparsamer Umgang mit Energie, hohe Durchsätze, kleine thermische Budgets, flexible Produktion und geringe Kosten eine wichtige Rolle spielen. Besonders gut geeignet ist die Anlage z.B. für das Tempern von low-k und high-k-Schichten.

Anwendungsgebiete:

Ideal für Wafer bis 300 mm, 4 Stück 156 mm Solarzellen oder Substrate bis zu einer Größe von 300 x 300 mm. Die Aufnahme der Wafer erfolgt mittels eines Quarzträgers.

In die Kammerwände können beliebige Durchführungen in Größe und Form eingebracht werden, wie z.B. Fühlerdurchführungen.
Durch das schnelle Erreichen von 10E -3 hPa (optional bis 10E -6 hPa)  werden auch in diesem Bereich kurze Prozesszeiten realisiert.

Hier die wichtigsten Funktionen:
 
Halbleiterprozesse sowie alle üblichen Anwendungen einer RTP/RTA-Anlage, wie

  • "Annealing"-Prozesse
  • SiAu, SiAl, SiMo alloying
  • low k dielectrics
  • post implanting annealing

Kammer:

  • Kammergröße:  350 x 350 x 50 mm
  • beladbare Fläche: 300 x 300 x 50 mm (optional: Kammerhöhe 120 mm)
  • Kammerwand:  Aluminium poliert, leicht zu reinigen (optional: VA 1.4305 poliert)

Beladung:

  • Deckel öffnet und schliesst mittels Pneumatik nach oben
  • Antrieb: pneumatisch. Manuelle oder ferngesteuerte Automatisierung auf Anfrage (SPS, Roboter,...).

Heizung:

  • unten: 24 Lampen gekreuzt 21 KW
  • oben:  24 Lampen gekreuzt 21 KW

Kühlung:

  • Kammer: Gas (Stickstoff) 

Prozesssteuerung:

  • Regelung: SIMATIC SPS Steuerung mit 7"Touch Panel
  • 50  Programme und bis zu 50 Schritte je Programm

Prozessgase:

  • 1 Gaslinie mit Massendurchflussmesser für Stickstoff ist Standard (5 nlm = Normliter/min.)
  • Optional: erweiterbar auf insgesamt 4 Gaslinien

Vakuum (optional):

  • MP (Membranpumpe):
  • RVP (Drehschieberpumpe): 10E -3 hPa. Vakuumsensor bis 10E -3 hPa

Anschlüsse:

  • Spannung/Leistung: 2 x (400/230V, 21 kW)
  • Vakuumanschluß: KF 16/25
  • Abluft: KF 16, auf der Rückseite
  • Gaslinienanschluss: Swagelok 6 mm
  • komprimierte Trockenluft (CDA), 6 mm Steckanschluss

Abmessung/Gewicht:

  • Größe: 504 x 504 (700) x 680 mm (L x B x H)
  • Gewicht: ca. 100 kg

Optionen und Zubehör:

VPO-MFC Mass Flow Controller (max. 4 St.)
VPO-MP Membrane Pump
VPO-RVP Rotary vane pump for vacuum up to 10exp.-3 hPa with oil filter
VPO-GP Graphite Plate 3 mm thick
VPO-QP Quartz plate for separation of the top lamp field
VPO-TC additional thermocouple to measure on device (plugged in chamber);
for external measurement tool (max. 4 pcs)
VPO-VM Vacuum measurement with data logging, up to 10exp.-3 hPa
VPO-QP Quartz plate (customer specific)
VPO-QH Quartz universal holder for 100 mm up to 300 mm wafer size (star)
WC IV Closed loop water cooling system
VPO-SI Serial interface between VPO sytem and external PC using USB 2.0 port and through USB 2.0 cable
VPO-RC Remote control of top cover opening and closing, including connection to safety cover of external cabinet

 

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DB_VPO_2_2017
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