RTP Serie

Laboröfen für Rapid Thermal Process und Rapid Thermal Annealing

Mit der RTP-Serie liefert UniTemp Prozessausrüstung speziell für den Bereich RTP/RTA. Die Laboröfen sind in verschiedenen Varianten und Ausstattungen erhältlich und werden an individuell an die jeweiligen Anforderungen angepasst. Sie eignen sich ideal für die Forschung und Entwicklung oder für die kosteneffiziente Produktion mit hohem Durchsatz. Die Geräte lassen sich auch in bestehende Fertigungslinien integrieren.

Die RTP-Geräte werden für diverse Halbleiteranwendungen entwickelt. Damit lassen sich z. B. Wafer mit einem Durchmesser von bis zu 200 mm oder Substrate bis zu 156 x 156 mm bearbeiten. Je nach Modell und Ausführung werden mit Hilfe präzise gesteuerter und schneller Aufheizraten (bis zu 200 K/s) Temperaturen von bis zu 1500 °C erreicht. Signifikante Abkühlraten, abhängig von Temperatur und Beladung, sorgen für einen beschleunigten Prozess ohne Qualitätsverluste. Das Touch-Panel und die SIMATIC® Steuerung garantieren eine einfache und komfortable Bedienung direkt am Gerät.

  • Präzise, schnelle Aufheiz- und Abkühlraten
  • Absolute Temperaturgleichmäßigkeit
  • Bis zu 4 Gasleitungen (Massendurchflussregler/MFC)
  • Integrierte Datenaufzeichnung
  • Beheizung durch Infrarotlampen
  • SIMATIC® Steuerung
  • Kompakte Stellfläche
  • Fernsteuerung möglich
  • RTP (Rapid Thermal Processing)
  • RTA (Rapid Thermal Annealing)
  • RTO (Rapid Thermal Oxidation)
  • RTN (Rapid Thermal Nitridation)
  • Betrieb mit Inertgasen, Sauerstoff, Wasserstoff, Formiergas
  • SiAu-, SiAl-, SiMo-Legieren
  • Low-k-Dielektrika
  • Kristallisation & Verdichtung
  • Si-Solarzellen auf Glas

RTP-Serie im Vergleich

Vacuum up to 1x10-3 hPa RTP-100 RTP-150 RTP-200 VPO-300
max. Wafer size 100 mm dia or 150 mm dia or 200 mm dia or 300 mm dia or
Graphite susceptor (i.d.) 106 x 106 x 1.75 mm³ 157 x 157 x 2 mm³ 206 x 206 x 1 mm³ 300 x 300 x 3 mm³
Graphite crucible (i.d.) Dia 90 mm x 8 mm 134 x 134 x 11 mm³ 201 x 201 x 7 mm³ N/A
max. Temperature 1000 °C (opt. 1200 °C or 1500 °C) 1000 °C (opt. 1200 °C) 1000 °C (opt. 1200 °C) 1000 °C (opt. 1200 °C)
Max. ramp up rate * 150 K/sec (200 K/sec) 75 K/sec (150 K/sec) 50 K/sec (100 K/sec) 40 K/sec
Max. cool Down rate
(1000 °C > 400 °C)
up to 200 K/min up to 200 K/min up to 200 K/min up to 200 K/min
Heating power 20 kW 21 kW 21 kW 36 kW
Top and bottom heating (selectable) Check Check Check Check
Zone Control Check Check Check Check
Process Gas lines MFC (max. 4 pcs). MFC (max. 4 pcs). MFC (max. 4 pcs). MFC (max. 4 pcs).

* Applied to a single wafer

Mögliche Optionen

Options RTP-100 RTP-150 RTP-200 VPO-300
Ramp up rate (max.) -EP 200 K/sec (27 kW) 150 K/sec (42 kW) 100 K/sec (42 kW) -
Temperature extension -HT 1200°C 1200°C 1200°C 1200°C
Temperature extension -EP-XHT 1500 °C (27 kW) 80K/sec ramp up rate on Sic coated susceptor
Extended holding time -TX Check Check Check Check
Extended holding time plus max. temp. -TX-HT Check Check Check -
Oxygen analyser -Ox I Check Check Check Check
Signal Tower -PT Check Check Check Check
Quartz glass trays (various) -QT Check Check Check Check
Graphite Suszeptor (various) -GS Check Check Check Check
Pumps / Water Cooler /UHE Check Check Check Check
Higher chamber -EH - - - 120mm
Extended opening height -ExOH - - - 300mm

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